张雄文
【姓名】 张雄文
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MMIC,SEM分析,GaAs,共振隧穿晶体管,共振隧穿二极管,高电子迁移率晶体管,电流峰谷比,串联型,背面通孔,负阻特性,测试结果,压点,化学腐蚀,栅条,材料结构,直流特性,单片集成电路,活性粒子,...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]周瑞;冯震;李亚丽;王勇;张雄文;.介质膜性质及表面处理对GaN HEMT特性的影响[J]半导体技术.2009,(05)
[2]杨霏;闫锐;陈昊;张有润;彭明明;商庆杰;李亚丽;张雄文;潘宏菽;杨克武;蔡树军;.SiC肖特基势垒二极管的反向特性[J]微纳电子技术.2010,(01)
[3]周瑞;张雄文;闫锐;李亚丽;于峰涛;张志国;冯志红;.SiC ICP背面通孔刻蚀研究[J]微纳电子技术.2010,(04)
[4]齐海涛;郭维廉;李亚丽;张雄文;李效白;.InP-Based RTD/HEMT Monolithic Integration[J]Transactions of Tianjin University.2010,(04)
[5]齐海涛;李亚丽;张雄文;冯震;商耀辉;郭维廉;.RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制[J]半导体学报.2007,(07)
[6]齐海涛;冯震;李亚丽;张雄文;商耀辉;郭维廉;.一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制[J]半导体学报.2007,(12)
[7]李亚丽;张雄文;冯震;周瑞;张志国;.InP基谐振隧穿二极管的研究[J]半导体技术.2008,(02)
[8]仝召民;薛晨阳;张斌珍;王勇;张文栋;张雄文;.基于SiCl_4/SF_6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀[J]半导体学报.2008,(06)
[9]刘立浩,杨瑞霞,王同祥,张雄文,周瑞.使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题[J]电子显微学报.2002,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]刘立浩;杨瑞霞;王同祥;张雄文;周瑞;.使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题[A].第十二届全国电子显微学会议论文集.2002-08-01
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