冯震
【姓名】 冯震
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 GaAs和宽禁带半导体电子器件的研制工作
【发表文献关键词】 性能,设计,制作,AlGaN/GaN,HFET,单片微波集成电路,跨导,直流特性,场板结构,隔离特性,整流特性,输出功率,退火处理,截止频率,蓝宝石衬底,击穿电压,饱和电流密度,最高振荡频率,电子束蒸...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]田秀伟;冯震;王勇;宋建博;张志国;.高性能AlGaN/GaN HEMT的肖特基特性[J]微纳电子技术.2009,(02)
[2]张志国;冯震;杨克武;蔡树军;郝跃;.AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应研究[J]固体电子学研究与进展.2009,(01)
[3]周瑞;冯震;李亚丽;王勇;张雄文;.介质膜性质及表面处理对GaN HEMT特性的影响[J]半导体技术.2009,(05)
[4]商庆杰;潘宏菽;陈昊;霍玉柱;杨霏;默江辉;冯震;.SiC MESFET工艺技术研究与器件研制[J]半导体技术.2009,(06)
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[6]张志国;杨瑞霞;李丽;冯震;王勇;杨克武;.蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性[J]半导体学报.2006,(07)
[7]周瑞;李学颜;冯震;.利用能谱对激光器芯片封胶后失效分析的研究[J]电子显微学报.2006,(S1)
[8]张志国;杨瑞霞;李丽;王勇;冯震;李献杰;杨克武;.高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究[J]固体电子学研究与进展.2006,(03)
[9]郭维廉;梁惠来;宋瑞良;张世林;毛陆虹;胡留长;李建恒;齐海涛;冯震;田国平;商跃辉;刘永强;李亚丽;袁明文;李效白;.栅型共振隧穿晶体管的设计与研制[J]半导体学报.2006,(11)
[10]杨孟丽;冯震;.128×128GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列铟柱制备[J]微纳电子技术.2006,(11)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]默江辉;王勇;李亮;潘宏菽;冯震;蔡树军;.SiC MESFET伽马电离总剂量辐照特性研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
[2]周瑞;李学颜;冯震;.利用能谱对激光器芯片封胶后失效分析的研究[A].2006年全国电子显微学会议论文集.2006-08-01
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