孙科沸
【姓名】 孙科沸
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氮化硅薄膜,射频磁控反应溅射,衬底温度,光学带隙,薄膜厚度,表面形貌,透过率,多晶硅太阳电池,相结构,能量耗散,溅射制备,折射率,可见光,台阶仪,紫外,射线衍射,光性能,沉积,衍射仪,半导体技术,
【工作单位】 南京航空航天大学
【曾工作单位】 南京航空航天大学;
【所在地域】 江苏南京
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[1]孙科沸;李子全;李鑫;.衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响[J]半导体技术.2007,(06)
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[1]孙科沸.太阳电池用SiN/(Si/Ge)_x薄膜的制备及性能研究[D].南京航空航天大学.2007
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