胡永贵
【姓名】 胡永贵
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;电信技术;
【研究方向】 模拟IC设计、测试及器件建模研究
【发表文献关键词】 NMOS基准,低压差,基区,调整管,SiGeHBT,大电流密度,模型,SiGe,稳压电源,CMOS,基区渡越时间,异质结晶体管,E/DNMOS,渡越时间,硅栅自对准,PMOS,BCD工艺,高压集成电路...
【工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第二十四研究所;
【所在地域】 重庆
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