傅义珠
【姓名】 傅义珠
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 硅微波功率器件研究
【发表文献关键词】 锗硅基区,GeSi,异质结双极型晶体管,电子器件,功率晶体管,多晶硅,双极晶体管,动态镇流电阻,离子注入,发射极,S波段,长脉宽,硅,南京大学,脉冲功率,微波功率晶体管,镇流电阻,芯片,晶体,输出功率...
【工作单位】 南京电子器件研究所
【曾工作单位】 南京电子器件研究所;
【所在地域】 南京
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[1]傅义珠;盛国兴;.微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析[J]固体电子学研究与进展.2011,(04)
[2]王因生;陶有迁;徐全胜;金毓铨;傅义珠;丁晓明;王志楠;.L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验[J]固体电子学研究与进展.2011,(05)
[3]王因生;丁晓明;蒋幼泉;傅义珠;王佃利;王志楠;盛国兴;严德圣;.1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管[J]固体电子学研究与进展.2012,(04)
[4]刘杰;傅义珠;.军用电子元器件技术状态管理探讨[J]质量与可靠性.2012,(04)
[5]刘洪军;傅义珠;李相光;.530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管[J]固体电子学研究与进展.2009,(02)
[6]蔡俊;傅义珠;.总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响[J]固体电子学研究与进展.2010,(04)
[7]吴鹏;林川;傅义珠;盛国兴;戴学梅;康小虎;王因生;.2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2006,(02)
[8]赵普社;王因生;李相光;傅义珠;.4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管[J]固体电子学研究与进展.2007,(02)
[9]赵普社;王因生;傅义珠;.对功率器件击穿电压的模拟优化[J]电子与封装.2007,(10)
[10]王因生;李相光;傅义珠;王佃利;丁晓明;盛国兴;康小虎;.1.46~1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管[J]半导体学报.2008,(05)
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