谢书银
【姓名】 谢书银
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;化学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 抗弯强度,圆片,冲击载荷,冲击法,表面损伤,化学腐蚀,三点弯,小挠度,表面状态,钢球,直拉硅,红外吸收光谱,简支半径,损伤层,氮含量,研磨片,校准系数,研磨表面,脆性材料,硅研磨,挠度,单晶,动荷,片...
【工作单位】 中南工业大学
【曾工作单位】 中南工业大学;
【所在地域】 湖南长沙
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[1]谢书银.硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用[J]电力电子技术.1999,(03)
[2]谢书银，石志仪.滚圆对硅单晶机械强度的影响[J]半导体技术.1995,(02)
[3]谢书银，石志仪.硅片的抗弯强度及其测量[J]半导体学报.1995,(08)
[4]谢书银，石志仪.圆片冲击法测定硅片抗弯强度的研究[J]力学学报.1995,(03)
[5]谢书银，石志仪，余思明.硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系[J]中南工业大学学报.1995,(02)
[6]谢书银，石志仪.硅片表面状态与机械强度[J]稀有金属.1995,(04)
[7]谢书银，石志仪.硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究[J]中南工业大学学报.1996,(02)
[8]谢书银，石志仪.硅片抗弯强度测试方法中小挠度问题研究[J]中南工业大学学报.1996,(02)
[9]谢书银,石志仪.氮气氛下直拉硅中氮含量的红外光谱测定[J]中国有色金属学报.1996,(02)
[10]谢书银,石志仪,陈中祥.高温工艺中硅片的翘曲[J]半导体技术.1997,(05)
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