张华林
【姓名】 张华林
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 电子元器件的低剂量率电离辐照效应研究
【发表文献关键词】 注F,低剂量率,双极晶体管,剂量率,辐照,NMOS,电离辐照,阈电压,空间电荷,界面态,NMOSFET,电离辐射,电压漂移,电流增益,退火特性,电离辐照效应,电离辐射效应,新疆理化技术研究所,氧化物电...
【工作单位】 中国科学院新疆理化技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院新疆理化技术研究所;
【所在地域】 乌鲁木齐
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[1]崔帅,余学峰,任迪远,张华林.注F~+NMOSFET的电离辐照与退火特性[J]核技术.2004,(08)
[2]张华林,陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,何承发,艾尔肯,崔帅.双极晶体管的低剂量率电离辐射效应[J]半导体学报.2004,(12)
[3]张华林,陆妩,任迪远,崔帅.不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响[J]微电子学.2004,(06)
[4]崔帅,余学峰,任迪远,张华林,艾尔肯.预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响[J]半导体学报.2005,(01)
[5]张华林,任迪远,陆妩,崔帅.不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应[J]固体电子学研究与进展.2005,(01)
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