崔志明
【姓名】 崔志明
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体敏感材料的研究与开发
【发表文献关键词】 掺锰,深能级杂质,热敏特性,正温度系数,Zn掺杂,n型,负温度系数,补偿度,硅材料,多数载流子,费米能级,p型单晶硅,p型硅,电子技术,高补偿硅,锰硅化物,化学沉积法,硅镍化合物,欧姆接触特性,扩散源...
【工作单位】 中国科学院新疆理化技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院新疆理化技术研究所;
【所在地域】 乌鲁木齐
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[1]崔志明;陈朝阳;巴维真;蔡志军;丛秀云;.高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究[J]电子元件与材料.2006,(03)
[2]张建,巴维真,陈朝阳,崔志明,蔡志军,丛秀云,陶明德,吐尔迪·吾买尔.掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响[J]电子元件与材料.2004,(06)
[3]蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云.深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性[J]半导体学报.2005,(06)
[4]崔志明,巴维真,陈朝阳,蔡志军,丛秀云.p型单晶硅涂源掺锰新方法[J]电子元件与材料.2005,(06)
[5]蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云.Zn掺杂n型硅材料的补偿研究[J]电子元件与材料.2005,(06)
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