彭冬生
【姓名】 彭冬生
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】 光电薄膜材料与器件研究Tel
【发表文献关键词】 Monte Carlo,薄膜生长,模型,生长过程,粒子,算法模拟,相互作用势,处理方法,激活能,原子迁移,最近邻,生长机理,迁移过程,随机过程,衬底,次近邻,事件,研究,沉积,随机变量,
【工作单位】 中国科学院西安光学精密机械研究所
【曾工作单位】 中国科学院西安光学精密机械研究所;
【所在地域】 北京西安
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[1]彭冬生;冯玉春;牛憨笨;.Monte Carlo模拟薄膜生长的研究[J]材料导报.2006,(04)
[2]刘晓峰;冯玉春;彭冬生;.超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)[J]电子器件.2008,(01)
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