刘英
【姓名】 刘英
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 制备工艺,PECVD,生产成本,优化工艺,电子陷获,界面特性,递归反射,Si_3N_4,ET材料,红外激励发光,场助光电阴极,配方,硫化助熔剂法,上转换材料,光谱上转换,助熔剂,光复合,精密机械,红外...
【工作单位】 中国科学院西安光学精密机械研究所
【曾工作单位】 中国科学院西安光学精密机械研究所;
【所在地域】 西安
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[1]范文慧,赵卫,高雄健,邹炜,刘英,王永昌,侯洵.CaS∶Eu,Sm薄膜的红外上转换发光效率[J]中国激光.2000,(03)
[2]范文慧,刘英,王永昌,过晓晖,侯洵.电子俘获材料的浓度猝灭[J]半导体光电.1999,(03)
[3]李相民,王存让,程军,侯洵,刘英.PECVDSi_3N_4/InP界面特性的研究[J]光子学报.1994,(02)
[4]杜力,龚平,杨青,刘英,过晓晖,侯洵.电子陷获型红外上转换材料的光谱测试[J]光子学报.1995,(05)
[5]张大慰,龚平,过晓晖,刘英,侯洵,范文慧.一种反光发光复合标牌材料的研究[J]光子学报.1997,(03)
[6]范文慧,王永昌,龚平,过晓晖,张大慰,刘英,侯洵.一类电子俘获型红外可激发材料的制备和光学性质[J]光子学报.1997,(09)
[7]贾炜,侯洵,过晓晖,刘英,程科华.制备XS(X=Ca,Sr)的一种优化工艺[J]光子学报.1993,(02)
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