赵嵩卿
【姓名】 赵嵩卿
【职称】
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 半导体异质结,光辐射,制冷效果,热离子,半导体量子阱,载流子分布,电流连续性方程,掺杂浓度,光复合,漂移扩散模型,俄歇复合,泊松方程,正向偏压,复合率,空穴,数值计算,国家实验室,半导体材料,表达式,...
【工作单位】 中国科学院物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院物理研究所;
【所在地域】 北京
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[1]韩鹏,金奎娟,周岳亮,周庆莉,王旭,赵嵩卿,马中水.GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs半导体量子阱光辐射-热离子制冷[J]物理学报.2005,(09)
[2]刘震,王淑芳,赵嵩卿,周岳亮.利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO_2薄膜[J]物理学报.2005,(12)
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[1]赵嵩卿;周岳亮;陈正豪;杨国桢;.PLD方法制备c-取向氧化锌薄膜[A].第十一届基础光学与光物理讨论会论文摘要集.2004-11-29
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