赵玉印
【姓名】 赵玉印
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多晶硅,双层金属,复合结构,TiSi_2,真空微电子,再分布,腐蚀剖面,平坦化,射频,自谐振频率,布线技术,PECVD,深度剖面,薄层电阻,VLSI,尖锥阴极,腐蚀速率,nMOSFET,尖锥,退火温度...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李俊峰,杨荣,赵玉印,柴淑敏,刘明,徐秋霞,钱鹤.部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文)[J]半导体学报.2004,(09)
[2]杨荣,李俊峰,赵玉印,柴淑敏,韩郑生,钱鹤.一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术(英文)[J]半导体学报.2005,(05)
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