袁志鹏
【姓名】 袁志鹏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 化合物半导体器件和微波单片集成电路等方面的研究
【发表文献关键词】 钝化边,InGaP/GaAsHBT晶向效应,直流电流增益,侧向腐蚀,直流增益,异质结双极晶体管,偏置网络,静态偏置电流,InGaP/GaAs,异质结双极型晶体管,发射极,镇流电阻,截止频率,增益压缩,...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]白大夫,刘训春,袁志鹏,钱永学.ISM频段中功率功率放大器(英文)[J]半导体学报.2004,(06)
[2]白大夫,刘训春,王润梅,袁志鹏,孙海锋.高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管(英文)[J]半导体学报.2004,(07)
[3]石瑞英,孙海锋,袁志鹏,罗明雄,汪宁.发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响[J]半导体学报.2004,(07)
[4]石瑞英,孙海峰,刘训春,袁志鹏,罗明雄,汪宁.减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能[J]半导体学报.2004,(08)
[5]袁志鹏,孙海锋,刘新宇,吴德馨.基于InGaP/GaAsHBT的10Gbps跨阻放大器(英文)[J]半导体学报.2004,(12)
[6]鄂辰熹,刘训春,王润梅,袁志鹏.一种简化的光调制器驱动电路[J]半导体学报.2005,(08)
[7]郑丽萍,袁志鹏,樊宇伟,孙海锋,狄浩成,王素琴,刘新宇,吴德馨.高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT[J]半导体学报.2005,(01)
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