杨建军
【姓名】 杨建军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体制造工艺对MOS器件性能的影响
【发表文献关键词】 部分耗尽,栅介质,体接触,击穿特性,充电损伤,nMOS,金属栅,硅化物,叠层,氮氧化硅,等离子,等离子剥离(干法去胶),天线比(AR),栅漏电流密度,阈值漂移,电流应力,时间测试,阈值电压漂移,MOS...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]杨建军;李俊峰;海潮和;韩郑生;.PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响[J]电子器件.2006,(01)
[2]杨建军,钟兴华,李俊峰,海潮和,韩郑生.氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化[J]微电子学与计算机.2005,(08)
[3]杨建军,钟兴华,李俊峰,海潮和.反应离子刻蚀铝中nMOS器件的等离子充电损伤(英文)[J]电子工业专用设备.2005,(04)
[4]钟兴华,吴峻峰,杨建军,徐秋霞.超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
[5]吴峻峰,钟兴华,李多力,康晓辉,邵红旭,杨建军,海潮和,韩郑生.部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
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