汪宁
【姓名】 汪宁
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 变组分高电子迁移率晶体管,铟铝砷/铟镓砷,发射极,赝配高电子迁移率晶体管,镇流电阻,InGaP/GaAsHBT,自对准工艺,In0.49Ga0.51P/GaAsHBT,发射极镇流电阻,直流特性,InG...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张昇;魏珂;肖洋;马晓华;张一川;刘果果;雷天民;郑英奎;黄森;汪宁;Muhammad Asif;刘新宇;.Effect of SiN:H_x passivation layer on the reverse gate leakage current in GaN HEMTs[J]Chinese Physics B.2018,(09)
[2]尹军舰;陈立强;汪宁;张海英;刘训春;牛洁斌;.双层InGaAs沟道InP HEMT[J]电子器件.2006,(01)
[3]石瑞英,孙海锋,袁志鹏,罗明雄,汪宁.发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响[J]半导体学报.2004,(07)
[4]石瑞英,孙海峰,刘训春,袁志鹏,罗明雄,汪宁.减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能[J]半导体学报.2004,(08)
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