孙宝刚
【姓名】 孙宝刚
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 槽栅,特性仿真,基区,CMOS,槽栅结构,BiCMOS工艺,高速双极晶体管,侧墙,深槽隔离,选择性注入,超深,BiCMOS,快速热退火,亚微米,0.5μm,双极晶体管,BiCMOS器件,优化研究,CM...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]邵红旭;吴峻峰;韩郑生;孙宝刚;.硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响[J]微电子学与计算机.2006,(05)
[2]邵红旭,孙宝刚,吴峻峰,钟兴华.0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性(英文)[J]半导体学报.2005,(11)
[3]张晓菊,马晓华,任红霞,郝跃,孙宝刚.0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性[J]半导体学报.2005,(03)
[4]程超,海潮和,孙宝刚.0.5μm高速BiCMOS的工艺研究[J]微电子学与计算机.2005,(01)
[5]邵红旭,韩郑生,孙宝刚.0.1μmSOI槽栅CMOS特性仿真[J]电子工业专用设备.2005,(01)
[6]程超,海潮和,孙宝刚.高速双极晶体管工艺条件的优化研究[J]微电子学.2005,(02)
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