宋李梅
【姓名】 宋李梅
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】 功率器件及其可靠性.
【发表文献关键词】 高压nMOS器件,模拟结果,制造,设计与研制,场发射平板显示,电平转换电路,高压CMOS,高低压兼容,驱动电路,高压CMOS工艺,双栅氧工艺,兼容性,LDMOS,热载流子注入效应,可靠性,测试结果,阈...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]于淼;宋李梅;李科;丛密芳;李永强;任建伟;.采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制[J]电子技术应用.2021,(07)
[2]王琳;宋李梅;王立新;罗家俊;韩郑生;.一种提升抗单粒子能力的新型超结结构[J]微电子学与计算机.2019,(09)
[3]胡飞;宋李梅;韩郑生;.金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化[J]半导体技术.2018,(04)
[4]高博;刘刚;王立新;韩郑生;张彦飞;宋李梅;.功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究[J]微电子学.2013,(01)
[5]高博;刘刚;王立新;韩郑生;宋李梅;张彦飞;腾瑞;吴海舟;.The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films[J]Chinese Physics B.2013,(03)
[6]王立新;高博;刘刚;韩郑生;张彦飞;宋李梅;吴海舟;.星用功率VDMOS器件SEGR效应研究[J]核技术.2012,(06)
[7]王立新;单尼娜;夏洋;宋李梅;韩郑生;.高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究[J]电子设计工程.2012,(11)
[8]陈蕾;宋李梅;刘梦新;杜寰;.LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法[J]半导体技术.2009,(10)
[9]卜建辉;毕津顺;宋李梅;韩郑生;.Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs[J]半导体学报.2010,(01)
[10]卜建辉;毕津顺;宋李梅;韩郑生;.深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应[J]微电子学.2010,(03)
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[1]高博;刘刚;王立新;韩郑生;赵发展;宋李梅;张彦飞;王春林;.一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究[A].第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（上册）.2012-08-15
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