学者知网节

韩郑生

【姓名】	韩郑生
【职称】	研究员;
【研究领域】	无线电电子学;电力工业;计算机硬件技术;
【研究方向】	超大规模集成电路工艺研究
【发表文献关键词】	结构,工艺流程,射频,nMOSFET,截止频率,总剂量辐照,寄生双极晶体管,绝缘体上硅,阈值电压,高压CMOS工艺,双栅氧工艺,兼容性,全耗尽SOIMOSFET,模型,亚阈值特性,晶体管增益,器件,氧...
【工作单位】	中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】	中国科学院微电子研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
0/305	111	80	5	399	22805

中国期刊全文数据库 共找到178篇

[1]韩郑生;韩建伟;陈睿;.“微电子器件辐照效应研究”专题前言[J]微电子学.2025,(01)

[2]许婷;闫珍珍;刘海南;李博;乔树山;韩郑生;卜建辉;.亚阈值电路单元延时波动统计建模方法[J]微电子学.2023,(05)

[3]韩郑生;马瑶;.“电子器件辐射效应与加固技术”专题前言[J]微电子学.2023,(06)

[4]陈伟中;牟柳亭;秦海峰;张红升;韩郑生;.An integrated split and dummy gates MOSFET with fast turn-off and reverse recovery characteristics[J]Chinese Physics B.2023,(06)

[5]李逸帆;倪涛;李晓静;王娟娟;高林春;卜建辉;李多力;蔡小五;许立达;李雪勤;王润坚;曾传滨;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.Analytical workload dependence of self-heating effect for SOI MOSFETs considering two-stage heating process[J]Chinese Physics B.2023,(09)

[6]陈伟中;秦海峰;许峰;王礼祥;黄义;韩郑生;.A 4H-SiC merged P–I–N Schottky with floating back-to-back diode[J]Chinese Physics B.2022,(02)

[7]张颢译;曾传滨;李晓静;闫薇薇;倪涛;高林春;罗家俊;赵发展;韩郑生;.28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究[J]微电子学与计算机.2021,(12)

[8]岂飞涛;刘涛;朱蓓丽;张琳;刘海南;滕瑞;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.一种流水线型ADC的时序改进技术研究[J]微电子学.2022,(02)

[9]朱蓓丽;岂飞涛;张琳;刘涛;刘海南;滕瑞;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.加扰技术对模数转换器性能的影响[J]微电子学.2022,(02)

[10]刘涛;岂飞涛;朱蓓丽;张琳;刘海南;滕瑞;李博;赵发展;罗家俊;韩郑生;.基于静态输入检测的ADC单粒子效应测试系统[J]微电子学.2022,(02)

中国重要会议全文数据库 共找到10篇

[1]张晴;倪涛;文亚凤;曾传滨;罗家俊;韩郑生;.高速电路自隔离测试技术研究[A].2017智能电网信息化建设研讨会论文集.2017-07-01

[2]刘梦新;刘刚;卜建辉;范雪梅;毕津顺;赵发展;韩郑生;.基于0.1μm PDSOI工艺的射频MOS器件电离总剂量辐照效应研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[3]刘刚;赵发展;韩郑生;.宇航用电子元器件单粒子辐照技术[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[4]赵发展;郭天雷;刘刚;海潮和;韩郑生;贺朝会;李永宏;.8K×8 SOI SRAM单粒子效应实验研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[5]薛玉雄;田恺;曹洲;刘刚;韩郑生;.SOI工艺的静态存储器单粒子翻转试验研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[6]吾勤之;许导进;王晨;刘刚;蔡小五;韩郑生;.SRAM存储器单粒子效应试验研究[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01

[7]毕津顺;曾传滨;刘刚;罗家俊;韩郑生;.面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究[A].中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会论文集（下篇）.2011-10-25

[8]高博;刘刚;王立新;韩郑生;赵发展;宋李梅;张彦飞;王春林;.一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究[A].第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（上册）.2012-08-15

[9]宿晓慧;毕津顺;刘刚;罗家俊;韩郑生;.空间辐射单粒子瞬态脉冲宽度测量电路研究[A].中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集.2013-08-03

[10]贾少旭;毕津顺;刘刚;罗家俊;韩郑生;.Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究[A].中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会论文集.2013-08-03

承担国家科研项目 共找到2个

[1]韩郑生;.0.1微米难熔金属栅CMOS器件的研究[A].中国科学院微电子研究所;.项目经费 17万元.2000-03-31.资助文献数 0 篇

[2]韩郑生.ESD研究用传输线脉冲发生器设备[A].中国科学院微电子研究所.项目经费 120万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇