程超
【姓名】 程超
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 高速双极和BiCMOS器件工艺研究
【发表文献关键词】 积累型,绝缘体上硅,基区,高速双极晶体管,BiCMOS工艺,深槽隔离,选择性注入,pMOSFET,侧墙,快速热退火,BiCMOS,双极晶体管,优化研究,0.5μm,集电,BiCMOS器件,工艺条件,发...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]连军,海潮和,程超.薄膜积累型SOI pMOSFET(英文)[J]半导体学报.2005,(01)
[2]程超,海潮和,孙宝刚.0.5μm高速BiCMOS的工艺研究[J]微电子学与计算机.2005,(01)
[3]程超,海潮和,孙宝刚.高速双极晶体管工艺条件的优化研究[J]微电子学.2005,(02)
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