陈立强
【姓名】 陈立强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 化合物半导体器件和微波毫米波单片集成电路
【发表文献关键词】 高电子迁移率,微波单片集成电路,HEMT,截止频率,InP基,场效应晶体管,HEMT器件,低噪声放大器,赝配高电子迁移率晶体管,晶格匹配,锯齿型,压控振荡器,HEMTs,单片微波集成电路,无线通信,I...
【工作单位】 中国科学院微电子研究所
【曾工作单位】 中国科学院微电子研究所;
【所在地域】 北京
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[1]毕晓君;张海英;陈立强;黄清华;.应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器(英文)[J]半导体学报.2008,(10)
[2]尹军舰;陈立强;汪宁;张海英;刘训春;牛洁斌;.双层InGaAs沟道InP HEMT[J]电子器件.2006,(01)
[3]陈立强;张健;李志强;陈普锋;张海英;.面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文)[J]半导体学报.2007,(06)
[4]黄华;陈晓哲;刘亮;陈立强;张健;张海英;.2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器[J]固体电子学研究与进展.2007,(02)
[5]杨浩;黄华;郝明丽;陈立强;张海英;.Ka波段单片低噪声放大器[J]电子器件.2007,(04)
[6]朱旻;梁晓新;陈立强;郝明丽;张海英;刘训春;.一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法[J]电子器件.2007,(04)
[7]李志强;张海英;陈立强;张健;朱旻;尹军舰;.一种InGaP/GaAs HBT高速预分频器MMIC[J]电子器件.2007,(05)
[8]李志强;陈立强;张健;张海英;.一种可编程的2·4GHz CMOS多模分频器(英文)[J]半导体学报.2008,(02)
[9]张健;李志强;陈立强;陈普峰;张海英;.基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器(英文)[J]半导体学报.2008,(04)
[10]张健;陈立强;李志强;陈普峰;张海英;.基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计(英文)[J]半导体学报.2008,(05)
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