朱黎明
【姓名】 朱黎明
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 辐射度,集成光路,双异质结,发光管,集成透镜,InGaAsP/InP,光功率输出,激光器,砷化镓,GaAs激光器,砷化镓单片,同质结,发光面积,冶金研究,InGaAsP,工作电流,工作寿命,热阻,单模...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]逄永秀;陈瑞璋;朱黎明;.GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结发光二极管退化的研究[J]电子技术.1980,(12)
[2]泮慧珍,张桂成,徐少华,逄永秀,程宗权,富小妹,朱黎明,胡道珊.砷化镓双异质结高辐射度发光管的研制[J]电子学通讯.1981,(01)
[3]潘慧珍,肖宗耀,沈彭年,程宗权,富小妹,朱黎明,吴冠群,水海龙.砷化镓单片集成光路的研制[J]科学通报.1981,(18)
[4]肖德元,陈瑞璋,朱黎明,史智华,徐少华,陈启玙,郭康瑾.集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究[J]发光学报.1991,(02)
[5]肖德元,郭康瑾,李爱珍,徐少华,朱黎明.外延迁移技术制作光电子单片集成Si的GaAs/GaAlAs DH LED[J]红外与毫米波学报.1992,(05)
[6]郭康瑾,陈启玙,徐少华,陈瑞璋,张晓平,肖德元,朱黎明,胡道珊,冯培均.高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究[J]发光学报.1992,(02)
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