郑养鉥
【姓名】 郑养鉥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅氧化,高速CMOS,氧化层,硅层,逻辑电路,双层金属,二氧化,门阵列电路,硅栅,布线,强氧,CMOS,金属布线,氟化,制造工艺,负载能力,冶金研究,功耗,击穿特性,VLSI,纯氧,最高频率,Data...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]郑养鉥;方申庆;陈学良;杨华丽;.E/D MOSFET阈值电压的调节和控制[J]微电子学与计算机.1988,(08)
[2]沈国雄,郑养鉥,蔡根寿,顾惠芬,龚国忠,郑庆云.3微米硅栅高速CMOS逻辑电路工艺研究[J]微电子学与计算机.1986,(04)
[3]尤伟,徐元森,郑养鉥.一种新的硅氧化方法——氟化氢增强氧化[J]半导体学报.1988,(06)
[4]许康,刘远华,朱荣锦,周炘祥,郑养鉥,徐元森.新型高速CMOS逻辑电路系列74AC之研究[J]应用科学学报.1990,(01)
[5]郑养鉥,张敏,凌栋忠,吴璘,顾惠芬,郑庆云,邱斌.双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究[J]半导体学报.1993,(01)
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