张顺开
【姓名】 张顺开
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 埋层,SOI结构,俄歇能谱,俄歇,离子束合成,SIMNI,SOI材料,离子注入,氮化硅,光学性质,SIMOX,激活率,氧化硅,脉冲激光沉积(PLD),PZT,光学性,多层结构,脉冲准分子激光沉积,反射...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]陈逸清,郑立荣,张顺开,林成鲁,邹世昌.脉冲准分子激光PZT铁电薄膜沉积及其特性研究[J]科学通报.1995,(01)
[2]郑立荣，陈逸清，张顺开，林成鲁，邹世昌.SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究[J]半导体学报.1996,(03)
[3]俞跃辉,林成鲁,张顺开,方子韦,邹世昌.离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究[J]物理学报.1989,(12)
[4]林成鲁,俞跃辉,方子韦,张顺开,倪如山,邹世昌,李金华,P.L.F.Hemment.SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1990,(09)
[5]林成鲁,张顺开,朱文化,邹世昌,李金华,P.L.F.Hemment.离子束合成SOI多层结构的研究[J]微细加工技术.1991,(03)
[6]张顺开,林成鲁,周祖尧,朱文化,邹世昌.N~+注入SOI材料上层硅的注入损伤和退火行为研究[J]核技术.1992,(03)
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