杨絜
【姓名】 杨絜
【职称】
【研究领域】 物理学;核科学技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 溅射率,背散射,氮化硅薄膜,低能离子注入,超导薄膜,低能氮离子,溅射,背散射谱,离子束,直流磁控,溅射沉积,氮化硅,沟道,组份比,烧结靶,N离子,氩离子,半熔融,氮化,低能离子束,YBCO,N离子注入...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]明嘉增,陈国明,周祖尧,任琮欣,杨絜,傅新定,朱德彰,曹德新.背散射法测定低能氩离子对金的溅射率[J]核技术.1987,(09)
[2]陈国明,陈国樑,杨絜,邹世昌.低能离子注入形成氮化硅薄膜特性的研究[J]物理学报.1988,(03)
[3]朱德彰,潘浩昌,曹建清,朱福英,陈国明,陈国樑,杨絜,邹世昌.用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化[J]物理学报.1990,(08)
[4]陈国樑,任琮欣,陈建民,杨絜,李贻杰,陈正秀,汪乐,谢雷鸣,邹世昌.离子束溅射沉积制备高J_cYBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜[J]低温物理学报.1991,(01)
[5]任琮欣,陈国樑,李贻杰,陈建民,杨絜,张骥华,陈业新,陈正秀,汪乐,邹世昌.半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜[J]低温物理学报.1992,(01)
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