谢连生
【姓名】 谢连生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOSFET,源漏穿通,轻掺杂,短沟道,解析模型,沟道,衬底电流,特性分析,LDD结构,LDDM,热电子效应,多晶硅,漏电流,穿通,常规器件,饱和区,热电子,电场强度,串联电阻,掺杂浓度,沟道长度,漏...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]谢连生,陈学良,徐元森.漏轻掺杂MOSFET的特性分析及其解析模型[J]半导体学报.1987,(06)
[2]谢连生,陈学良,徐元森.漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通[J]半导体学报.1989,(03)
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