吴征
【姓名】 吴征
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 自身氧化,Al_2O_3膜,电容谱,深能级,深中心,电子陷阶,阳极氧化,界面性质,DLTS,光电容,GaAs/GaAlAs,氧沾污,界面态,双异质结,俘获截面,光电离截面,发光管,激活能,能级,瞬态电...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]吴征,周炳林,张洪方,郭康瑾,杜根娣.阳极氧化Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质[J]固体电子学研究与进展.1986,(02)
[2]张桂成,吴征.氧对GaAs/GaAlAs发光材料和器件特性的影响[J]传感器技术.1987,(Z1)
[3]吴征,周炳林,张桂成.双异质结Al_xGa_(1-x)As/GaAs发光管中与氧有关能级的测量[J]发光学报.1987,(02)
[4]胡冰华,吴征,周炳林,张洪方.一种研究半导体中深能级的技术——光电容谱[J]稀有金属.1987,(01)
[5]周炳林,吴征,陈正秀,胡冰华.不掺杂半绝缘GaAs的补偿机制[J]红外研究(A辑).1988,(02)
[6]吴征,汪乐.Al_(0.35)Ga_(0.65)As中DX中心的俘获激活能(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[7]张桂成,吴征,陈自姚,周炳林.GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级[J]电子科学学刊.1989,(03)
[8]张桂成,吴征.InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级[J]电子科学学刊.1989,(05)
[9]郭康瑾,杜根娣,吴征.InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究[J]电子科学学刊.1991,(06)
[10]张桂成;吴征;.GaAlAs/GaAs发光管中深能级与暗缺陷关系[J]半导体光电.1991,(01)
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