翁建华
【姓名】 翁建华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背栅效应,双栅FET,双栅金属-肖特基势垒场效应晶体管,混频器,MESFET,砷化镓微波单片集成电路,背栅,GaAs,MMIC,自隔离,离子注入,双栅,半绝缘,工艺制备,变频增益,隔离工艺,半绝缘衬底...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申.半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J]半导体学报.2000,(01)
[2]孙晓玮,程知群,夏冠群,李洪芹,翁建华.GaAsMMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
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