魏茂林
【姓名】 魏茂林
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaN,横向过生长,生长机理,MOCVD,外延,横向外延过生长,TMGa,缺陷密度,选择生长,生长速率,线缺陷,散射长度,窗口区,横向生长,MOCVD法,原子,HVPE,生长过程,流速,半导,图形,半...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]魏茂林,齐鸣,李爱珍.横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理[J]功能材料与器件学报.2001,(02)
[2]魏茂林,齐鸣,孙一军,李爱珍.GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究[J]功能材料与器件学报.2002,(01)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]魏茂林.横向外延GaN材料的MOCVD生长与特性研究[D].中国科学院上海冶金研究所.2001
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