王为林
【姓名】 王为林
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅衬底,本征吸收,缺陷控制,加氯,氮气,产生寿命,氧化预处理,半导体工艺,预处理,VLSI电路,半导体器件,漏电流,二极管,数量级,实验结果,合格率,氧沉淀,质量,有源区,击穿点,
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]王为林,潘德洪.自愈击穿仪[J]微电子学与计算机.1982,(01)
[2]王为林;.制造MOS器件用试剂的纯度[J]化学世界.1982,(12)
[3]许康,王为林,史遵兰,罗桂昌,何德湛,邵海文.硅衬底中缺陷的控制和利用[J]电子科学学刊.1988,(03)
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