莫金玑
【姓名】 莫金玑
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;化学;
【研究方向】 半导体材料生长的研究
【发表文献关键词】 GaAs,缓冲层,气相外延,Ⅲ-Ⅴ族半导体,外延,外延层,有源层,MESFET,三氯氢硅,物理化学,异质材料,多元化合物,电子器件,InAs,深中心,深能级,E法,氯化物法,能级,SICI,源外延,金...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]公延宁,莫金玑,余海生,夏冠群.MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究[J]半导体学报.2000,(02)
[2]施小忠,夏冠群,汪乐,莫金玑.MOCVD GaAs太阳电池的结特性[J]半导体学报.1999,(01)
[3]公延宁,汪乐,莫金玑,夏冠群.GaAs太阳电池帽层腐蚀研究──GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀[J]太阳能学报.1999,(02)
[4]莫金玑.高速电子器件MOCVD材料的研究动态[J]稀有金属.1994,(03)
[5]公延宁,莫金玑,夏冠群.GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展[J]功能材料与器件学报.1998,(03)
[6]赵彭年;莫金玑;.磷化硼的高温分解[J]科学通报.1963,(11)
[7]赵彭年,莫金玑.液态镓-锑系合金中组分锑的蒸气压[J]金属学报.1965,(01)
[8]彭瑞伍,莫金玑.Ⅲ-Ⅴ族半导体材料外延及其物理化学[J]固体电子学研究与进展.1982,(02)
[9]莫金玑,郑燕兰,江文达.用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究[J]稀有金属.1984,(02)
[10]莫金玑,郑燕兰,沈德新.In_x Ga_(1-x)As/InP异质材料的气相外延研究[J]稀有金属.1987,(06)
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