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[2]周江云,李琼,徐静芳,茅东升,柳襄怀.SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响[J]华东师范大学学报(自然科学版).2000,(02)
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[3]范忠,李琼,徐静芳,茅东升.单片Si-FED的结构和设计[J]半导体技术.2001,(05)
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[4]李炜,茅东升,张福民,王曦,柳襄怀,邹世昌,诸玉坤,李琼,徐静芳.离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜[J]材料研究学报.2001,(01)
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[5]范忠,李琼,徐静芳,郭方敏,茅东升.提高FEA电子发射可靠性和均匀性的几种结构[J]微细加工技术.2002,(01)
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[6]茅东升,赵俊,李炜,王曦,柳襄怀,诸玉坤,李琼,徐静芳.高sp~3键含量无氢非晶金刚石薄膜——出色的电子场发射材料[J]中国科学E辑:技术科学.1999,(01)
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[7]茅东升,赵俊,李炜,王曦,柳襄怀,诸玉坤,范忠,周江云,李琼,徐静芳.界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响[J]中国科学E辑:技术科学.1999,(06)
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[8]茅东升,郭绍义,郦剑,毛志远,柳襄怀.SiC陶瓷的冲蚀磨损耐磨性[J]材料研究学报.1998,(04)
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[9]茅东升,赵俊,李炜,王曦,柳襄怀,诸玉坤,周江云,范忠,李琼,徐静芳.金刚石薄膜电子场发射研究进展[J]材料导报.1998,(06)
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