罗潮渭
【姓名】 罗潮渭
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 包封退火,硅离子,掺铬,半绝缘砷化镓,双栅,GaAs,MESFET,半绝缘,不等位电势,超浅结,离子注入,载流子浓度,超薄有源层,低能离子注入,元件,低能全元素离子注入机,盖片,电激活,有源层,光致发...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/6 1 2 0 11 216
中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]关安民，罗潮渭，李钧，石华君，林成鲁，夏冠群.低能离子注入的应用[J]电子学报.1996,(02)
[2]王渭源,乔墉,林成鲁,罗潮渭,周永泉.掺铬半绝缘砷化镓材料的硅离子注入[J]物理学报.1982,(01)
[3]王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐.硅全离子注入的GaAs双栅MESFET[J]应用科学学报.1983,(04)
[4]乔墉,卢建国,罗潮渭,邵永富,王渭源.半绝缘InP注硅的无包封退火[J]半导体学报.1983,(06)
[5]杨悦非,乔墉,刘月琴,罗潮渭,王渭源.离子注入GaAs Hall元件的不等位电势[J]传感器技术.1987,(02)
[6]关安民,李钧,石华君,罗潮渭,夏冠群.低能全元素离子注入机[J]微细加工技术.1993,(03)
更多