江文达
【姓名】 江文达
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 缓冲层,有源层,气相外延,MESFET,GaAs,深中心,浓度分布,离子注,界面特性,生长参数,过渡区,鼓泡器,多层外延,沉积温度,滞留层,界面区,器件质量,场效应晶体管,会议资料,杂质,
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】
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[1]莫金玑,郑燕兰,江文达.用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究[J]稀有金属.1984,(02)
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