胡雨生
【姓名】 胡雨生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 薄层电阻,少子扩散长度,InP单晶,位错密度,暗斑,电子辐照,复合中心,SPV法,GaAs/Si,少子寿命,GaAs,缺陷浓度,外延层,等光强,表面薄层,径向分布,太阳能电池,能级,头部,器件工艺,单...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到8篇
[1]陈晓杰,李爱珍,王嘉宽,胡雨生,汪乐.Al_(0.85)Ga_(0.15)As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究[J]半导体光电.2000,(05)
[2]胡雨生，汪乐.MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响[J]半导体学报.1995,(06)
[3]谭礼同;章敏权;胡雨生;方敦辅;.高压合成磷化铟[J]稀有金属.1982,(06)
[4]胡雨生.SI-InP单晶薄层电阻和位错密度的研究[J]稀有金属.1988,(06)
[5]胡雨生,周柄林,杨易,陈强.LPE-n-In_(0.53)Ga_(0.47)As中少子扩散长度的研究[J]稀有金属.1989,(06)
[6]胡雨生,汪乐,陈正秀.电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究[J]半导体学报.1990,(12)
[7]胡雨生.N型LPE和VPE-GaAs电子辐照缺陷能级的研究[J]应用科学学报.1992,(03)
[8]胡雨生,胡福义,汪乐,李爱珍,范伟栋.MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究[J]半导体学报.1993,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]胡雨生;胡福义;李爱珍;诸幼令;.MBE—GaAs/Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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