陈自姚
【姓名】 陈自姚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,GaAs异质结构,电化学C-V,载流子浓度,外延层,亚微米,浓度分布,注入层,电化学研究,太阳电池材料,测量半导体,汽相外延,阳极溶解,外延材料,掺C,双栅,V法,过渡区,平带电势,MESF...
【工作单位】 中国科学院上海冶金研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海冶金研究所;
【所在地域】 上海
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[1]彭瑞伍;陈自姚;.熔盐中Cu和Ti溶解的电化学研究[J]科学通报.1963,(09)
[2]陈自姚,彭瑞伍.CuCl-AgCl熔体的蒸气压[J]金属学报.1965,(03)
[3]彭瑞伍,陈自姚,邹元爔.AgCl-CuCl熔体中的活度[J]金属学报.1965,(03)
[4]彭瑞伍;陈自姚;.SnCl_2-HCl熔体的蒸气压[J]科学通报.1965,(03)
[5]陈自姚,邵永富,彭瑞伍.电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数[J]稀有金属.1981,(05)
[6]陈自姚,邵永富,梁琦,彭瑞伍.GaInAsP双异质结材料的特性测量[J]半导体光电.1981,(02)
[7]邵永富,陈自姚,彭瑞伍.电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布[J]半导体学报.1982,(03)
[8]陈自姚,邵永富,彭瑞伍.GaAs异质结构材料的电化学研究[J]科学通报.1982,(02)
[9]邵永富;陈自姚;彭瑞伍;.电化学技术在Ⅲ—V族半导体材料特性测量中的应用[J]上海金属.有色分册.1982,(02)
[10]邵永富,陈自姚,彭瑞伍.掺Cr半绝缘GaAs材料质量对离子注入层电学性质的影响[J]应用科学学报.1983,(03)
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