郝国强
【姓名】 郝国强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体光电器件方向的研究
【发表文献关键词】 暗电流,光电探测器,温度特性,In0.53Ga0.47As,InGaAs,光电子学,暗电流分析,零偏压下微分电阻与面积乘积,探测率,化合物半导体,反向偏压,探测器,载流子浓度,复合电流,压焊,复合噪声...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 北京中国
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[1]郝国强;张永刚;顾溢;李爱珍;朱诚;.气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)[J]红外与毫米波学报.2006,(04)
[2]郝国强,张永刚,刘天东,李爱珍.InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究[J]半导体光电.2004,(05)
[3]郝国强,张永刚,顾溢,刘天东,李爱珍.In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析[J]功能材料与器件学报.2005,(02)
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