朱浩荣
【姓名】 朱浩荣
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 超高压装置,非磁性,微晶硅,吸收边,外容器,吸收带,非晶,能隙,压力效应,半磁半导体,氢化,e光,电磁现象,压力系数,二级容器,红外,流体静压力,氢含量,光谱研究,塞头,InSb,衬底温度,内容器,完...
【工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】 上海
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[1]朱浩荣,居广林,唐秀云,沈学础.两级非磁性超高压装置[J]物理学报.1984,(04)
[2]何宇亮,颜永红,殷晨钟,玉志超,沈学础,朱浩荣.氢化非晶及微晶硅的氢含量和红外光谱研究[J]半导体学报.1984,(05)
[3]单伟,朱浩荣,沈学础.CdTe和Cd_(1-x)Mn_xTe吸收边的压力效应[J]红外研究.1984,(04)
[4]单伟,沈学础,赵敏光,朱浩荣.半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe光吸收边的压力效应[J]物理学报.1986,(10)
[5]姜山,朱浩荣,沈学础,J.Schilz.高x值混晶Hg_(1-x)Cd_xTe光吸收边的压力效应[J]物理学报.1989,(11)
[6]姜山,沈学础,李齐光,朱浩荣,居广林,W.Giriat.Cd_(1-x)Mn_xS高压吸收光谱[J]红外研究.1989,(02)
[7]姜山,居逸群,马可军,朱浩荣,沈学础,顾霞敏.Zn_(1-x)Co_xS和Zn_(1-x)Ni_xS新吸收谱线的测量与分析[J]红外研究.1990,(03)
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