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杨秀珍
【姓名】
杨秀珍
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
温度关系分析,能级特性,HgCdTe,离子注,深能级,俘获截面,PN结,上海技术物理研究所,陷阱能级,激活能,陷阱,价带,发射率,温度变化,导纳谱,陷阱密度,空穴陷阱,温度范围,二极管,空穴,
【工作单位】
中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】
中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】
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学术成果产出明细表
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共找到6篇
[1]童斐明,杨秀珍,王戎兴.
由电容温度关系分析HgCdTe深能级特性
[J]半导体学报.1984,(03)
[2]童斐明,杨秀珍.
关于HgCdTe多元电学串音的一些考虑
[J]红外研究.1984,(04)
[3]林和,杨秀珍,王戎兴,汤定元.
窄带HgCdTe PN结的深能级隧道电容
[J]红外研究.1984,(04)
[4]杨秀珍,葛友放,黄桂娟,孙秀英,童斐明.
HgCdTe晶体与光伏探测器特性的关系
[J]红外研究(A辑).1986,(05)
[5]林和,陈泉森,杨秀珍.
Hg_(1-x)Cd_xTe平面型In扩散及Hg扩散PN结的交流特性
[J]红外研究(A辑).1986,(05)
[6]杨秀珍,葛友放,黄桂娟,孙秀英,童斐明.
Hg_(1-x)Cd_xTe晶体质量与光伏型探测器特性的关系
[J]红外研究(A辑).1987,(02)
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童斐明
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