曹秀亮
【姓名】 曹秀亮
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 HgCdTe,缺陷,位错,腐蚀坑密度,Schaake,Chen,外延生长,缺陷密度,外延层,器件,外延材料,薄膜材料,位错密度,腐蚀剂,晶格失配,衬底,晶格常数,高性能,技术研究,失配位错,表面形貌,...
【工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海技术物理研究所;
【所在地域】 上海
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/2 1 0 2 6 218
中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]曹秀亮;杨建荣;.HgCdTe外延材料的缺陷腐蚀特性[J]半导体学报.2006,(08)
[2]曹秀亮;.HgCdTe薄膜材料缺陷的研究现状[J]红外.2006,(08)
更多