陶兆民
【姓名】 陶兆民
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电信技术;
【研究方向】 光电器件研究
【发表文献关键词】 光阴极,负电子亲和势,透射式,单晶,发射层,工作波段,长波,组成结构,光谱响应,Ⅲ-Ⅴ族化合物,星空,过渡层,光电发射,GaAs,微光管,导电膜,缓变层,晶格常数,近红外光,亲和势,化合物,突变层,设...
【工作单位】 中国科学院电子学研究所
【曾工作单位】 中国科学院电子学研究所;
【所在地域】 北京
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[1]韦亚一,陶兆民,黄力明.次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算[J]真空科学与技术.1994,(05)
[2]陶兆民.锑的两硷金属化合物光阴极的性能[J]电子学通讯.1979,(01)
[3]陶兆民.光阴极窗口(基底)玻璃材料组成成份的选择[J]电子学通讯.1979,(04)
[4]陶兆民.延长Sb-K-Na-Cs光阴极长波阈的讨论[J]电子学通讯.1980,(02)
[5]陶兆民.透射式负电子亲和势Ⅲ-Ⅴ族化合物光阴极工作波段的设计问题[J]电子学通讯.1981,(02)
[6]陶兆民.长波阈为1.65μm的透射式负电子亲和势光阴极组成结构的设计[J]电子学通讯.1982,(05)
[7]陶兆民.光谱响应范围为0.7—1.65μm的一种近红外光阴极[J]电子科学学刊.1983,(05)
[8]陶兆民.晴朗星空照射下Pd-Ag-O-Cs和Sb-Na-K-Cs光阴极的光电发射[J]电子科学学刊.1986,(05)
[9]陶兆民.实用光阴极的进展——纪念发现光电发射效应100周年[J]电子科学学刊.1987,(02)
[10]陶兆民,夏长虹,潘晓丹,潘峡.GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除[J]电子科学学刊.1989,(01)
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