单玉臣
【姓名】 单玉臣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 剖面分析,多晶硅薄膜,电阻率,杂质,多晶硅膜,剖面分布,掺杂浓度,硅层,CVD法,工艺条件,多晶硅,应用化学研究,杂质分布,薄层电阻,阳极氧化,深度关系,掺杂剂,反型层,多晶硅层,硼掺杂,
【工作单位】 中国科学院长春应用化学研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春应用化学研究所;
【所在地域】
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[1]韩桂林,王岚,刘连元,刘雅言,单玉臣.多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析[J]半导体技术.1983,(01)
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