朱永福
【姓名】 朱永福
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 体隙,隙态密度,非晶硅,空间电荷,TFT-LCD,氮化硅,顶电极,金属-绝缘体-金属器件,限制法,空间电荷限制,击穿强度,辉光放电,淀积条件,p-n~--n能带模型,有源矩阵液晶显示,电流法,薄膜晶体...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 吉林长春
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[1]李牧菊,杨柏梁,朱永福,刘传珍,袁剑峰,吴渊,廖燕平.TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究[J]液晶与显示.1999,(02)
[2]刘传珍,杨柏梁,朱永福,李牧菊,袁剑峰,王刚,吴渊,刘洪武,黄锡珉.硅基TFT有源矩阵液晶显示技术[J]液晶与显示.1999,(02)
[3]袁剑峰,杨柏梁,朱永福,李牧菊,刘传珍,吴渊,廖燕平,王刚,邵喜斌,刘宏武,黄锡珉.高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制[J]液晶与显示.1999,(03)
[4]刘传珍,杨柏梁,李牧菊,朱永福,袁剑峰,寥燕平,吴渊,黄锡珉.周边集成AMLCD的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算[J]液晶与显示.1999,(03)
[5]李牧菊,杨柏梁,朱永福,袁剑峰,刘传珍,廖燕平,吴渊.氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究[J]液晶与显示.1999,(03)
[6]朱永福,李牧菊,杨柏梁,刘传珍,廖燕平,袁剑锋,刘雅言,申德振.淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响[J]液晶与显示.1999,(04)
[7]楚振生,朱永福,袁建峰,马凯,黄锡珉.空间电荷限制电流法对a—Si:H隙态密度的测量[J]液晶与显示.1996,(04)
[8]刘洪武,吴渊,朱永福,马凯,黄锡珉.顶电极对金属-绝缘体-金属器件I-V曲线对称性的影响[J]吉林大学自然科学学报.1997,(04)
[9]楚振生,朱永福,袁剑锋,马凯,黄锡珉.淀积条件对GD_a-SiN_x薄膜电学特性的影响[J]液晶与显示.1997,(01)
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