温庆祥
【姓名】 温庆祥
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深能级,Gasb,单晶,InSb,镓铝砷,CdTe,水平区熔法,光电特性,籽晶,热激,负阻,弹性常数,Ⅱ-Ⅵ族,能级,载流,多孔硅,光生伏特效应,升华法,生长参数,V法,液晶,中国科学院,化合物半导体...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 长春
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[1]温庆祥.多孔硅-硅酸盐和振荡现象[J]中国科学(A辑).2000,(05)
[2]胡恺生,高瑛,苏锡安,刘学彦,温庆祥.镓铝砷LED中的深能级及其对光电特性的影响[J]发光与显示.1981,(02)
[3]宣丽,景玉梅,富淑清,林革,张传萍,黄锡珉,温庆祥.THM法生长优质InSb单晶[J]人工晶体.1988,(Z1)
[4]吴光恒,黄锡珉,富淑清,林革,宣丽,景玉梅,张传萍,温庆祥.Gasb单晶的生长[J]人工晶体.1988,(Z1)
[5]杨柏樑,张传平,温庆祥,黄锡珉.CdTe∶Al的电学特性[J]人工晶体学报.1992,(02)
[6]温庆祥,黄锡珉,何林,于跃春,张传萍.C—V法液晶弹性常数的测定[J]液晶通讯.1993,(01)
[7]温庆祥,罗宗铁.多孔硅的电荷存贮现象[J]发光学报.1993,(02)
[8]罗宗铁,温庆祥.多孔硅的光生伏特效应[J]发光学报.1993,(02)
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