金珍花
【姓名】 金珍花
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】 半导体光电子器件
【发表文献关键词】 垂直腔面发射激光器,VCSELs,选择性氧化,VCSEL,分子束外延,垂直腔,有源区,氧化速率,面发射激光器,输出功率,增透膜,大功率,注入电流,等离子体辅助,功率转换效率,电子束蒸发,物理研究所,热...
【工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【曾工作单位】 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
【所在地域】 北京长春
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[1]赵路民,晏长岭,孙艳芳,金珍花,王青,秦莉,刘云,宁永强,王立军.基于AIAs氧化法研制的垂直腔面发射激光器[J]半导体光电.2004,(02)
[2]孙艳芳,金珍花,宁永强,秦莉,晏长岭,路国光,套格套,刘云,王立军,崔大复,李惠青,许祖彦.高功率底发射VCSELs的制作与特性研究[J]光学精密工程.2004,(05)
[3]套格套,初国强,宁永强,秦莉,孙艳芳,金珍花,晏长岭,刘云,王立军.大功率底发射VCSEL出光窗口增透膜的研究[J]半导体光电.2004,(06)
[4]金珍花,孙艳芳,宁永强,晏长岭,秦莉,刘云,套格套,王立军,崔大复,李惠青,许祖彦.980nm大功率垂直腔底发射激光器[J]红外与毫米波学报.2005,(01)
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