朱占萍
【姓名】 朱占萍
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 迁移率,MBE生长,电子迁移率,体层,外延层,InAs,电导模型,输运性质,界面层,并联,温度特性,位错,表面积累层,掺杂位置,中电子,导电电子,温度增加,束流,极小值,压强,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]周宏伟,董建荣,王红梅,曾一平,朱占萍,潘量,孔梅影.MBE生长InAs薄膜输运性质的研究[J]半导体学报.1998,(09)
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