朱建军
【姓名】 朱建军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;电力工业;
【研究方向】 III族氮化物的生长与研究工作
【发表文献关键词】 GaN,在位监测,MOCVD,应力,紫外探测器,生长压力,缓冲层,MOVPE,微裂,肖特基结构,脊形结构,持续光电导,集成光电子学,插入层,肖特基结,多量子阱,响应度,光淬灭,气相沉积,有机化,淬灭,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]曹子坤;赵德刚;杨静;朱建军;梁锋;刘宗顺;.A MOVPE method for improving InGaN growth quality by pre-introducing TMIn[J]Chinese Physics B.2021,(01)
[2]陈平;赵德刚;江德生;杨静;朱建军;刘宗顺;刘炜;梁锋;刘双韬;邢瑶;张立群;.Evaluation of polarization field in InGaN/GaN multiple quantum well structures by using electroluminescence spectra shift[J]Chinese Physics B.2020,(03)
[3]曹子坤;刘宗顺;江德生;朱建军;陈平;赵德刚;.高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算（英文）[J]发光学报.2020,(06)
[4]梁锋;赵德刚;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平;杨静;.光场分布对GaN基绿光激光器的影响[J]中国激光.2020,(07)
[5]刘双韬;杨静;赵德刚;江德生;梁锋;陈平;朱建军;刘宗顺;刘炜;邢瑶;彭莉媛;张立群;王文杰;李沫;.Influence of carrier gas H_2 flow rate on quality of p-type GaN epilayer grown and annealed at lower temperatures[J]Chinese Physics B.2018,(12)
[6]梁锋;赵德刚;江德生;刘宗顺;朱建军;陈平;杨静;刘炜;刘双韬;邢瑶;张立群;王文杰;李沫;张源涛;杜国同;.Output light power of InGaN-based violet laser diodes improved by using a u-InGaN/GaN/AlGaN multiple upper waveguide[J]Chinese Physics B.2017,(12)
[7]邢瑶;赵德刚;江德生;李翔;刘宗顺;朱建军;陈平;杨静;刘炜;梁锋;刘双韬;张立群;王文杰;李沫;张源涛;杜国同;.Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes[J]Chinese Physics B.2018,(02)
[8]李翔;赵德刚;江德生;杨静;陈平;刘宗顺;朱建军;刘炜;何晓光;李晓静;梁锋;刘建平;张立群;杨辉;张源涛;杜国同;龙衡;李沫;.Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths[J]Chinese Physics B.2017,(01)
[9]杨静;赵德刚;江德生;陈平;刘宗顺;朱建军;李翔;刘炜;梁锋;张立群;杨辉;王文杰;李沫;.Physical implications of activation energy derived from temperature dependent photoluminescence of InGaN-based materials[J]Chinese Physics B.2017,(07)
[10]刘双韬;赵德刚;杨静;江德生;梁锋;陈平;朱建军;刘宗顺;李翔;刘炜;邢瑶;张立群;.The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN[J]Chinese Physics B.2017,(10)
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承担国家科研项目    共找到1个
[1]朱建军;.AlInN材料的MOCVD生长与应用研究[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 28万元.2005-03-31.资助文献数 2 篇
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