郑红军
【姓名】 郑红军
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 SiGaAs晶体生长和晶片加工工艺研究
【发表文献关键词】 深能级,硅单晶,固溶度,区熔,氮杂质,相图,GaAs,碳含量,硅材料,机理分析,无位错,掺氮,抛光晶片,固溶度曲线,漩涡缺陷,无位错单晶,抛光,溶解度,单晶,损伤层,抛光速率,直拉硅单晶,亚表面,晶片...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]屈鹏霏;金鹏;周广迪;王镇;许敦洲;吴巨;郑红军;王占国;.单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状[J]人工晶体学报.2023,(05)
[2]卜俊鹏,郑红军,赵冀,朱蓉辉,尹玉华.超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺[J]半导体学报.2003,(04)
[3]郑红军,卜俊鹏,尹玉华,白玉柯.GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[4]郑红军,卜俊鹏,何宏家,吴让元,曹福年,白玉珂,惠峰.GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析[J]固体电子学研究与进展.1999,(01)
[5]郑红军,卜俊鹏,曹福年,白玉柯,吴让元,惠峰,何宏家.砷化镓晶片表面损伤层分析[J]稀有金属.1999,(04)
[6]卜俊鹏,郑红军,何宏家,吴让元.GaAs晶片化学机械抛光的机理分析[J]固体电子学研究与进展.1997,(04)
[7]曹福年,卜俊鹏,吴让元,郑红军,惠峰,白玉珂,刘明焦,何宏家.X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度[J]半导体学报.1998,(08)
[8]梁骏吾,邓礼生,郑红军.Si-C相图的研究及碳对硅单晶质量的影响[J]稀有金属.1987,(05)
[9]栾洪发,梁骏吾,邓礼生,郑红军,黄大定.掺氮区熔硅单晶深能级的研究[J]半导体学报.1988,(03)
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