张一心
【姓名】 张一心
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化雾,氧沉淀,二次缺陷,高碳,间隙氧,硅单晶,高氧,新施主,辐照,吸收带,替代碳,单晶,成核,复合体,体层,微缺陷,位错环,杂质,方晶石,热诱导,原始氧,碳含量,热处理,氧碳含量,体缺陷,金属杂质,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]张一心,程美乔,张泽华,刘淑琴.高氧高碳硅单晶中的氧碳沉淀及其形成的二次缺陷[J]半导体学报.1984,(01)
[2]张一心,程美乔.硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源[J]半导体学报.1985,(03)
[3]张一心.硅中铁对氧碳沉淀的影响[J]半导体学报.1987,(03)
[4]张一心,李朝勇,李光平,何秀坤,卢存刚,李祖华.CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响[J]半导体学报.1992,(07)
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