杨锡权
【姓名】 杨锡权
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深中心,深能级,电子陷阱,能级,图形表,示方法,GaAs单晶,陷阱,新能级,GaAs,热稳定性,外延层,空穴发射,空穴,SI-GaAs,象限,退火温度,载流,光淬灭,俘获截面,陷阱浓度,生长温度,补偿...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京中国
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[1]徐波，王占国，万寿科，孙红，张辉，杨锡权，林兰英.EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探[J]半导体学报.1994,(05)
[2]阮圣央,张砚华,郑秉茹,杨锡权,吉秀江.深中心行为图形表示方法的探讨[J]半导体学报.1983,(06)
[3]阮圣央,周洁,张砚华,吉秀江,郑秉茹,李树英,杨锡权,谭飞.Si:Pd深能级的研究[J]半导体学报.1984,(03)
[4]杨锡权,向贤碧,吴让元.LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系[J]半导体学报.1985,(04)
[5]王占国,戴元筠,徐寿定,杨锡权,万寿科,孙虹,林兰英.SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
[6]曹福年,杨锡权,刘巽琅,吴让元,惠峰,何宏家.Sl-GaAs单晶的热稳定性研究[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
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[1]徐波;王占国;梁基本;韩勤;龚谦;刘会贇;姜卫红;魏永强;丁鼎;钱家骏;刘峰奇;张金福;张秀兰;张元常;吴巨;陈涌海;杨锡权;叶小玲;.应变自组装量子点材料和量子点激光器[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30
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