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闫华
【姓名】
闫华
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
扫描电镜(SEM),光致发光(PL),InGaN,MOCVD,MOCVD生长,合金,PL谱,In组分,亮区,MOCVD方法,禁带宽度,x值,暗区,光致发光,蓝宝石衬底,典型样品,扫描电镜,表面形貌,样...
【工作单位】
中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】
中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
北京
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共找到1篇
[1]闫华,卢励吾,王占国.
MOCVD生长的InGaN合金的性质
[J]半导体学报.2001,(02)
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